Zakaj je galijev nitrid boljši od silicija?

V primerjavi s silicijem se prednost GaN zmanjša na energetsko učinkovitost. Kot je GaN Systems, profesionalni proizvajalec galijevega nitrida, pojasnil:

"Vsi polprevodniški materiali imajo tako imenovano pasovno vrzel. To je energijsko območje, v katerem v trdni snovi ne more obstajati noben elektron. Skratka, pasovna vrzel je povezana z električno prevodnostjo trdnega materiala. Pasovna vrzel galijevega nitrida je 3,4 eV, medtem ko je silicij 1,12 eV. Galijev nitrid ima širšo vrzel v pasu, kar pomeni, da lahko prenese višje napetosti in višje temperature kot silicij."

Drugi proizvajalec GaN, Efficient Power Conversion Corporation, je dejal, da je učinkovitost GaN pri vodenju elektronov 1,000-krat večja kot pri siliciju, njegovi proizvodni stroški pa so nižji.

Večja učinkovitost pasovne vrzeli pomeni, da lahko tok teče skozi GaN čipe hitreje kot silicijeve čipe, kar lahko vodi do hitrejše procesorske moči v prihodnosti. Skratka, čipi iz GaN bodo hitrejši, manjši, energetsko učinkovitejši in (sčasoma) cenejši od čipov iz silicija.

Predvideti je, da morda ne boste zlahka videli veliko GaN polnilnikov, preden jih veliki proizvajalci strojne opreme (kot sta Apple in Samsung) začnejo vključevati v nove računalnike in pametne telefone.